RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
40
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3003
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link