RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3714
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link