Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 40

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.7 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.6 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 37
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 14.7
Скорость записи, Гб/сек

8.9 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2688

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM