RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2484
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link