Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 40

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.4 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.3 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 37
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 14.4
Скорость записи, Гб/сек

8.9 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2712

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

модули RAM