RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3079
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link