RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3013
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link