RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2795
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link