Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 40

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.4 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 14.4
Скорость записи, Гб/сек

8.9 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2509

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

Kingston 9905599-010.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

модули RAM