RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
21.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3839
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link