RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3963
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link