RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
4015
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link