RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3552
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link