RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2227
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link