RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2417
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link