Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston 9905678-007.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 40

Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.6 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 23
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.6
Скорость записи, Гб/сек

8.9 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2922

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

Kingston 9905678-007.A00G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM