RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston 9905702-010.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2792
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link