RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston 9905734-022.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
40
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3142
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6D1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link