RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2900
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link