RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
41
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2238
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link