RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2892
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link