RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
78
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
78
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.1
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2113
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link