RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3254
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link