RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
40
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2316
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link