RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1925
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link