RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
46
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2453
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link