RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1348
2792
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link