Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    20 left arrow 43
    Около -115% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.1 left arrow 11
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.6 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 20
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.0 left arrow 19.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 14.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1393 left arrow 3471
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения