Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.2 5.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 43

Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.9 11

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 25
Скорость чтения, Гб/сек

11.0 12.9
Скорость записи, Гб/сек

7.2 5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1393 2051

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

Kingston 9905702-002.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB

модули RAM