RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
44
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1393
2523
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link