RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2445
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link