SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 11.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 77

Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.5 1,884.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 32
Скорость чтения, Гб/сек

2,936.9 11.1
Скорость записи, Гб/сек

1,884.0 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

564 2855

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

Kingston 9965698-001.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB

модули RAM