RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2960
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link