RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
3040
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link