RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
77
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
45
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2036
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link