RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
10.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2355
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB Сравнения RAM
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link