RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
18.0
Скорость записи, Гб/сек
10.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2675
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lenovo 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link