RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
14.2
Скорость записи, Гб/сек
10.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2104
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link