RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
10.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3017
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link