RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Средняя оценка
star star star star star
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    10.6 left arrow 8.7
    Среднее значение в тестах
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 37
    Около -54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 14.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 17000
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.7 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.6 left arrow 8.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2438 left arrow 2326

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Сравнения RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
модули RAM