SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.6 9.6

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 37

Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.1 14.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 35
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 15.1
Скорость записи, Гб/сек

10.6 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 25600

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2438 2502

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905598-040.A00G 16GB

Kingston 9905598-040.A00G 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB

модули RAM