RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
37
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
20
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
17.9
Скорость записи, Гб/сек
10.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3127
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre 0000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link