RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3296
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link