RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
3119
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link