RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
14.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
10.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
2481
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link