RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
15
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
59
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
1954
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link