RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
37
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2973
3341
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link