SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

61 67

Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 15.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.3 2,042.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 67
Скорость чтения, Гб/сек

4,448.3 15.9
Скорость записи, Гб/сек

2,042.4 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

860 1850

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

модули RAM

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB

модули RAM