RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB против Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Средняя оценка
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
3.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
6.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
3.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
865
3238
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link