SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB против Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 36

Около 19% меньшая задержка

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 6.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 3.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 36
Скорость чтения, Гб/сек

6.9 15.0
Скорость записи, Гб/сек

3.8 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

865 2247

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

Kingston 9905624-018.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

модули RAM